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东微半导赢得发明专利授权:“IGBT器件”
发布日期:2024-12-24 03:15 点击次数:190
本站音书,凭证天眼查APP数据清楚东微半导(688261)新赢得一项发明专利授权,专利名为“IGBT器件”,专利苦求号为CN202111561080.4,授权日为2024年12月24日。
专利摘录:本发明属于半导体功率器件时刻限制,具体公开了一种IGBT器件,n型半导体层内的几许个栅沟槽,位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅,位于栅沟槽的上部内的栅极,栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间相互绝缘终结;部分屏蔽栅外接栅极电压并界说为第一屏蔽栅,剩余的屏蔽栅外接辐照极电压并界说为第二屏蔽栅,第一屏蔽栅与第二屏蔽栅瓜代间隔确立;位于n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区,p型体区包括第一p型体区和第二p型体区两部分,第一p型体区位于围聚相邻的第一屏蔽栅的一侧,第二p型体区位于围聚相邻的第二屏蔽栅的一侧,第一p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。
本年以来东微半导新赢得专利授权1个,较前年同时减少了66.67%。衔接公司2024年中报财务数据,本年上半年公司在研发方面参预了3878.39万元,同比减1.65%。
数据开始:天眼查APP
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